[20a-B201-1~6] 15.6 IV族系化合物（SiC）

11:45 〜 12:00

[20a-B201-6] [講演奨励賞受賞記念講演] 両極性トランジスタを用いて導出した4H-SiCの真性キャリア密度

〇浅田 聡志¹、村田 晃一¹、田中 一²、土田 秀一¹ (1.電中研、2.阪大院工)

キーワード：

炭化ケイ素,真性キャリア密度