講演情報
[20a-P01-8]ネオジウム磁石を用いたマグネトロンスパッタリング源からのアモルファス炭素膜の作製
〇小松原 理央1、玉田 耕治2、平田 祐樹1、大竹 尚登1、赤坂 大樹1 (1.東京工業大学、2.東京工業高等専門学校)
キーワード：
ネオジム磁石,アモルファス炭素膜,マグネトロンスパッタリング
ネオジム磁石を用いたマグネトロンスパッタリング源を設計製作し，エチレングリコール水溶液で磁石を-5～5℃で冷却し，磁力を保持させながらアモルファス炭素膜の作製を試みた.30 Wの印可電力ですでに膜を得ることができた．印可電力が低いほど膜は黒く, 電力を上昇させると色が変化した. 堆積速度は印可電力の上昇に伴い，上昇した．一方，硬さは, 50 W の時に最も大きな値を示した.