講演情報
[20p-A202-6]CMOS互換プロセスで作製されたナノ共振器シリコンラマンレーザの
吸収損失除去
〇高橋 和1、下村 悠1、岡野 誠2 (1.大阪公大、2.産総研)
キーワード：
シリコンラマンレーザ,ナノ共振器,KOHエッチング
本発表では，CMOS互換プロセスを用いて作成されたナノ共振器Siラマンレーザのプロセス開発について発表する．前回の発表において，CMOS互換プロセスで作製されたレーザサンプルでは，プラズマエッチング時に，空気孔側壁から10 nm程度の深さに入り込んだ不純物が，共振器のQ値を低下させていることを突き止めた．今回の発表では，この不純物を簡易な化学処理で除去できることを報告する．