講演情報
[20p-A301-15]Si/CaF2 四重障壁共鳴トンネル構造を用いた抵抗変化メモリ素子の室温パルス応答特性
〇(M2)星野 麻衣子1、宇佐見 遼也1、村上 寛太1、渡辺 正裕1 (1.東工大工)
キーワード：
不揮発性メモリ,抵抗スイッチング現象,共鳴トンネルダイオード
Si/CaF2ヘテロ構造は，結晶構造が類似で格子定数が近いことからSi基板上に積層エピタキシャル成長が可能であり，室温においてもON/OFF比の大きな共鳴トンネル系集積デバイスの構成材料として有望である．これまでに我々は，自然形成によるナノ結晶と比べて構造制御性やばらつき低減に有利なSi/CaF2四重障壁構造を用いて，両側の共鳴トンネル構造が電荷注入・保持・引抜き動作を担う抵抗変化メモリを提案・実証してきた．今回，この抵抗スイッチング素子を作製し，パルスによる繰り返し応答特性の評価を行ったので報告する．