講演情報
[20p-A301-16]GaInN/GaN多重量子殻LEDにおけるプラズマ発光モニターを用いたCl2エッチングによる(0001)面の高抵抗化に関する検討
〇(M1)服部 祐汰1、稲葉 颯磨1、島 綾香1、伊井 詩織1、高橋 美月1、山中 優輝1、久保田 光星1、上山 智1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1 (1.名城大理)
キーワード：
ナノワイヤ
我々は、ナノワイヤ(NW)と呼ばれる六角柱状の微細結晶を用いたLEDの研究を行っている。NW LEDは、（0001）、非極性面（10-10）及び半極性面（1-101）で構成されており、内部電界の大きな(0001)面の発光によって低効率化する課題がある。本研究では、エッチング時のp-GaNの損傷によって、電極との接触抵抗が大きくなることを利用し、(0001)面p-GaNの上部へ選択的にダメージを与えることで、高抵抗化し(0001)面への電流注入の抑制を図った。