2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-A302-1~15]21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2023年9月20日(水) 13:00 〜 17:00
A302 (熊本城ホール)
佐々木 公平(ノベルクリスタルテクノロジー)、 池之上 卓己(京大)
13:00 〜 13:15

[20p-A302-1]ミスト CVD 法による MgO 基板上 Ga2O3 薄膜の成長

〇池之上 卓己1,2、Cho Yongjin2、Protasenko Vladimir2、Savant Chandu2、Cromer Bennett2、三宅 正男1、平藤 哲司1、Thompson Mike2、Jena Debdeep2、Xing Huili2 (1.京大院エネ科、2.コーネル大)
13:15 〜 13:30

[20p-A302-2]ミストCVD成長β-Ga2O3を用いたMESFET

〇(D)高根 倫史1、安藤 裕二2、高橋 英匡2、牧迫 隆太郎2、池田 光1、上田 哲三3、須田 淳2、田中 勝久1、藤田 静雄1、菅谷 英生3 (1.京大、2.名大、3.パナソニック)
13:30 〜 13:45

[20p-A302-3](001) β-Ga2O3基板上のNiO薄膜上に形成したGa2O3薄膜

〇中込 真二1 (1.石巻専修大理工)
13:45 〜 14:00

[20p-A302-4](-102)面β-Ga2O3基板上のホモエピタキシャル成長

大島 祐一1、〇大島 孝仁1 (1.NIMS)
14:00 〜 14:15

[20p-A302-5](−102)面β-Ga2O3基板に対する選択成長と選択エッチング

〇大島 孝仁1、大島 祐一1 (1.NIMS)
14:15 〜 14:30

[20p-A302-6]β-Ga2O3(010)基板上ホモエピタキシャル成長の基板オフ角依存性

〇(M2)新田 恭平1、後藤 健1、村上 尚2、熊谷 義直1 (1.東京農工大院工、2.東京農工大院BASE)
14:30 〜 14:45

[20p-A302-7]ルツボレスで作製したβ-Ga2O3結晶の成長方位依存性

〇高橋 勲1,2、Vladimir Kochurikhin1、富田 健稔1、菅原 孝昌2、庄子 育宏1、鎌田 圭1,2、柿本 浩一2、吉川 彰2,1 (1.㈱C＆A、2.東北大)
15:00 〜 15:15

[20p-A302-8]HVPE法によるβ-Ga2O3(010)基板上Siドープβ-Ga2O3層の成長

〇(M2)田中 舞1、河野 有佑1、後藤 健1、熊谷 義直1,2 (1.東京農工大院工、2.東京農工大 FLOuRISH)
15:15 〜 15:30

[20p-A302-9]Cr2O3単結晶上への低欠陥α-Ga2O3薄膜成長

〇渡邊 守道1、村上 和仁1、西村 昇1 (1.日本ガイシ（株）)
15:30 〜 15:45

[20p-A302-10]導電性α-(AlxGa1-x)2O3薄膜の作製とその評価

〇安岡 龍哉1、ダン タイジャン2、劉 麗2、川原村 敏幸1,2 (1.高知工大シス工、2.高知工大総研)
15:45 〜 16:00注目講演

[20p-A302-11]MBE法により成長したSiドープα-Al2O3層の電気的特性評価

〇奥村 宏典1 (1.筑波大数理)
16:00 〜 16:15

[20p-A302-12]Cold-wall MOCVD法を用いたサファイア基板上Ga2O3層の試作

〇奥村 宏典1 (1.筑波大　数理)
16:15 〜 16:30

[20p-A302-13]選択成長α-Ga2O3の速度論的安定性の温度依存性

〇神野 莉衣奈1、深津 晋1 (1.東大院総合文化)
16:30 〜 16:45

[20p-A302-14]窒素ラジカル照射がGa2O3ショットキーバリアダイオードの電気的特性に及ぼす影響

〇(M1)江口 輝生1、佐藤 翔太1、Wang Zhenwei2、東脇 正高1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)
16:45 〜 17:00

[20p-A302-15]窒化ラジカル照射処理したGa2O3表面の構造評価

〇(M1)谷口 奨季1、中岡 蔵1、東脇 正高1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)
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