講演情報
[20p-A302-14]窒素ラジカル照射がGa2O3ショットキーバリアダイオードの電気的特性に及ぼす影響
〇(M1)江口 輝生1、佐藤 翔太1、Wang Zhenwei2、東脇 正高1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)
キーワード：
酸化ガリウム,ショットキーバリアダイオード,窒化
窒素ラジカル照射により表面窒化処理を行ったn-Ga2O3 (100) 基板を用いてショットキーバリアダイオードを作製し、その電流密度–電圧特性を調査した。窒化処理により、ターンオン電圧が均一化するなど様々なショットキー特性の改善が見られた。この結果は、窒素ラジカル照射プロセスにGa2O3表面ダメージを回復し、その状態を均一化する効果があることを示唆している。