講演情報
[20p-A302-15]窒化ラジカル照射処理したGa2O3表面の構造評価
〇(M1)谷口 奨季1、中岡 蔵1、東脇 正高1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)
キーワード：
酸化ガリウム,窒化,半導体
我々は、窒素ラジカル照射によりGa2O3表面ダメージの回復し、ショットキー特性およびその面内均一性を改善できることを発見した。この表面窒化処理は、重要なGa2O3デバイスプロセスの1つとなることが期待される。本講演では、窒化処理したGa2O3 (100), (010) 表面の原子間力顕微鏡モルフォロジー、およびX線光電子分光法による表面近傍領域の組成分析結果について報告する。