[20p-A302-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:00 〜 15:15

[20p-A302-8] HVPE法によるβ-Ga₂O₃(010)基板上Siドープβ-Ga₂O₃層の成長

〇(M2)田中 舞¹、河野 有佑¹、後藤 健¹、熊谷 義直^1,2 (1.東京農工大院工、2.東京農工大 FLOuRISH)

キーワード：

β-Ga2O3,HVPE法,n型

β-Ga₂O₃はパワーデバイス材料として期待されておりHVPE法は高純度結晶の高速成長が可能な成長法である。最近熱伝導率の異方性およびデバイス作製プロセスとの相性からβ-Ga₂O₃(010)基板が注目されているがHVPE法によるn型層作製については未検討である。本発表ではSiドーピングにより(010)基板上でn = 10¹⁶~10¹⁸ cm^-3の範囲でのn型導電性制御を達成したため報告する。