[20p-A309-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

17:00 〜 17:15奨励賞エントリー

[20p-A309-15] (100)/(001)配向正方晶Pb(Zr,Ti)O₃膜における電界下での結晶構造評価

〇(M2)中畑 美紀¹、岡本 一輝¹、石濱 圭佑¹、山田 智明^2,3、舟窪 浩¹ (1.東工大、2.名古屋大、3.東工大MDX元素セ)

キーワード：

圧電応答,正方晶PZT薄膜,ドメイン構造

Pb(Zr, Ti)O₃(PZT)薄膜は圧電MEMS応用で広く使用されている。PZT膜の圧電・強誘電特性の計算は単純なドメイン構造では広く検討されてきたが、 (100)/(001)配向のようなマルチドメイン構造を持つ系の場合には、ドメイン間の相互作用などの存在によりこれまで十分な検討が行われていない。本研究では、膜厚の異なる (100)/(001)配向正方晶PZT膜をエピタキシャル成長させた。さらに、電界印加下におけるドメインの格子定数およびドメインの体積分率の変化を評価した。