講演情報
[20p-A309-4]機械的な引張歪みの存在下での分極反転に伴うHfO2薄膜の残留分極値の増大現象とその歪み解放後の緩和現象
〇井上 辰哉1、女屋 崇2、喜多 浩之1,2 (1.東大院工、2.東大院新領域)
キーワード：
強誘電体
HfO2薄膜における強誘電性の大きさに対する引張歪みの影響について，4点曲げによって機械的な歪みを与えることによって直接的に検証したところ，たかだか~0.02%程度の引張歪みによってPswが増大したが，歪み解放後には徐々に Psw が元の値へと緩和する現象が観察され た。室温において大きな増減が観察されたことは，このような Psw の増減が相変態によるもので はなく，強誘電相内で分極に寄与する相の割合が増加する効果によるものであることを示唆する。