[20p-A311-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

13:30 〜 13:45

[20p-A311-1] <111>A方位持つInPナノワイヤの自己触媒法配列成長

〇章 国強^1,2、舘野 功太^1,2、日比野 浩樹³、後藤 秀樹⁴、眞田 治樹¹ (1.NTT物性研、2.NTTナノフォトセンタ、3.関西学院大、4.広島大)

キーワード：

ナノワイヤ,InP

We report site-controlled growth of <111>A-oriented InP nanowire array with 100% yield by self-catalyzed VLS mode. The <111>A-oriented nanowires contain few stacking faults compared with the nanowires grown under an exact same growth condition.