講演情報
[20p-A311-1]<111>A方位持つInPナノワイヤの自己触媒法配列成長
〇章 国強1,2、舘野 功太1,2、日比野 浩樹3、後藤 秀樹4、眞田 治樹1 (1.NTT物性研、2.NTTナノフォトセンタ、3.関西学院大、4.広島大)
キーワード:
ナノワイヤ,InP
We report site-controlled growth of <111>A-oriented InP nanowire array with 100% yield by self-catalyzed VLS mode. The <111>A-oriented nanowires contain few stacking faults compared with the nanowires grown under an exact same growth condition.