[20p-A311-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

13:45 〜 14:00

[20p-A311-2] MBE法による通信帯域発光波長を有するGaAs/GaInNAs/GaAsコアマルチシェルナノワイヤのパターン基板上VLS成長

〇中間 海音^1,2、行宗 詳規³、肥後 昭男⁴、石川 史太郎^1,2 (1.北大情科院、2.北大量集セ、3.愛媛大工、4.東大d.lab)

キーワード：

ナノワイヤ,分子線エピタキシー,Ⅲ/Ⅴ族材料