[20p-A311-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

14:00 〜 14:15

[20p-A311-3] GaAsナノワイヤにおける窒素パッシベーションとアニール処理の光学特性への影響

〇橋本 英季^1,2、峰久 恵輔^1,2、中間 海音^1,2、石川 史太郎^1,2 (1.北大情科院、2.北大量集積セ)

キーワード：

ナノワイヤ,分子線エピタキシー,Ⅲ-V族化合物