[20p-A311-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

15:00 〜 15:15

[20p-A311-6] Co-doping手法によるInAs/GaAs量子ドットの高温PL特性の向上

〇角田 雅弘^1,2、權 晋寛¹、荒川 泰彦¹ (1.東大ナノ量子、2.アイオーコア)

キーワード：

分子線エピタキシー