講演情報
[20p-B101-10]トポロジカル構造を用いたInGaN系フォトニクスの開発
〇井村 将隆1、桑 立雯1、武田 良彦1、長尾 忠昭1、小出 康夫1、中津川 啓治1、苅宿 俊風1、古月 暁1 (1.物材機構)
キーワード：
窒化物半導体,トポロジカル構造,光デバイス
一般に物質の持つトポロジカル特性は、系の表面や縁に局所的に現れ、それを利用した特異な電気伝導や特異な光・電磁波伝播が従来より報告されてきた。また近年、このトポロジカル特性が、表面や縁だけでなく、系全体の性能の向上に役立つことが明らかとなり、我々はこの特性を利用したトポロジカル面発光レーザーの動作を報告してきた。そこで今回、GaN系材料にトポロジカル構造を形成することで、Γ点付近のバンドギャップの上下の波動関数(p波とd波)を制御し、p/d波の対称性の違いに起因した新規光の閉じ込め構造の実現や新規光導波路の設計が可能であるかを明らかにする目的で実験を開始した。現在までに得られた結果を報告する。