講演情報
[20p-B101-11]窒化物半導体ナノワイヤのトップダウン法による作製
〇舘野 功太1,2、滝口 雅人1,2、佐々木 智1、江端 一晃1、熊倉 一英1、谷保 芳孝1 (1.NTT 物性研、2.NTT NPC)
キーワード：
ナノワイヤ,ウェットエッチング
InGaN量子井戸構造を有するエピ基板を用いてナノワイヤの作製を行った。ICPドライエッチング後に水酸化テトラメチルアンモニウム（TMAH）水溶液を用いたウェットエッチング処理を行うことによりまっすぐなナノワイヤを作製することができた。5 umの長さのナノワイヤにおいて室温光励起によりレーザ発振を確認した。フォトニック結晶デバイスへの応用が期待できる。