[20p-B101-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

16:30 〜 16:45

[20p-B101-12] 下地n-GaN形状制御によるナノテンプレート選択成長InGaN/GaNナノコラムの発光特性

〇工藤 駿介¹、吉村 賢哉¹、富樫 理恵^1,2、岸野 克巳^1,2 (1.上智大理工、2.上智ナノテク)

キーワード：

ナノコラム,InGaN,ナノテンプレート選択成長法