[20p-B101-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

17:30 〜 17:45奨励賞エントリー

[20p-B101-15] 量子殻GaN系LDのトンネル接合層の炉内その場活性化アニール条件の最適化

〇高橋 美月¹、山中 優輝¹、伊井 詩織¹、島 綾香¹、稲葉 颯磨¹、久保田 光星¹、服部 祐汰¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、上山 智¹ (1.名城大理工)

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ナノワイヤ