[20p-B101-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[20p-B101-3] MOVPE法を用いたBN成長におけるAlNテンプレート極性の影響

〇(M2)大石 悠翔¹、肖 世玉¹、上杉 謙次郎^2,3、秋山 亨¹、三宅 秀人¹ (1.三重大院工、2.院地域イノベ、3.研究基盤推進機構)

キーワード：

半導体,六方晶窒化ホウ素,対面アニール処理