講演情報
[20p-B101-8]誘電体薄膜と金属ナノ構造を用いたInGaN/GaN量子井戸の高効率発光
〇岡本 晃一1、垣内 晴也1、亀井 勇希1、三戸田 健太1、藤岡 宏輔1、松山 哲也1、和田 健司1、船戸 充2、川上 養一2 (1.阪公大院工、2.京大院工)
キーワード：
InGaN/GaN,誘電体薄膜,金属ナノ構造
プラズモニクスによりInGaN/GaN量子井戸の発光を増強する際に，GaNと金属の間の誘電体薄膜が重要な枠割を果たすことを突き止めた．さらに， InGaN/GaN上に成膜した酸化膜に紫外レーザー光を照射することによって，金属がなくても著しい発光増強が得られた．長波長域において特に顕著な増強度が得られ，これまの報告と比べても高い内部量子効率が達成できた．表面分析や発光寿命の測定により，詳しい機構とデバイス応用の可能性について議論する．