[20p-B201-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

14:45 〜 15:00

[20p-B201-5] ガラス基板上に形成された４端子 poly-Si TFT の V_th制御性に対する結晶品質の影響

〇(M1)伊藤 悠人¹、永吉 輝央¹、野村 海成¹、原 明人¹ (1.東北学院大工)

キーワード：

半導体,シリコン,薄膜トランジスタ