セッション詳細
[20p-B201-1~9]13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
2023年9月20日(水) 13:30 〜 16:00
B201 (市民会館)
岡田 竜弥(琉球大)、 呉 研(東工大)
[20p-B201-1]Au積層メタル技術によるMEMSデバイスの九十九折ばね定数ばらつき抑制の検討
〇(M1)御宿 希祐1、大西 哲1、Tenneti Devi Srujana1、町田 克之1、栗岡 智行1、Chakraborty Pathojit1、Tso-Fu Mark1、曽根 正人1、三宅 美博1、伊藤 浩之1 (1.東工大)
[20p-B201-3]銅ピラーのアセンブリを用いたFOWLPによるTXV形成と曲げ特性の強化
〇(M1C)篠田 敦志1、冨永 晃洋2、木野 久志3、田中 徹1,3、福島 誉史1,3 (1.東北大院工、2.東北大工、3.東北大院医工)
[20p-B201-4]ハイドロゲルFHEデバイスのためのRDL-first Multichip-to-Wafer集積技術
〇星 匡朗1、西口 大智2、木野 久志3、田中 徹1,3、福島 誉史1,3 (1.東北大院工、2.東北大工、3.東北大院医工)
[20p-B201-5]ガラス基板上に形成された4端子 poly-Si TFT の Vth制御性に対する結晶品質の影響
〇(M1)伊藤 悠人1、永吉 輝央1、野村 海成1、原 明人1 (1.東北学院大工)
[20p-B201-6]ガラス基板上に400℃プロセスで形成したp-ch ダブルゲート Cu-MIC poly-Ge 薄膜トランジスタ
〇(M2)鈴木 翔1、原 明人1 (1.東北学院大工)
[20p-B201-7]MONOS型低温ポリシリコンTFTにおけるしきい値電圧制御
〇後藤 哲也1,2、諏訪 智之1,2、片山 慶太3、西田 脩3、池上 浩4、須川 成利1 (1.東北大未来研、2.国際科学振興財団、3.九大シス情、4.高知工科大)
[20p-B201-8]Fabrication of Inversion Mode n-channel TFT on Solid-Phase Crystallized Polycrystalline Ge
〇(M2)linyu huang1, Kenta Moto1, Takamitsu Ishiyama2, Kaoru Toko2, Dong Wang1, Keisuke Yamamoto1 (1.Kyushu Univ., 2.Univ. of Tsukuba)