[20p-B201-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

15:00 〜 15:15

[20p-B201-6] ガラス基板上に400℃プロセスで形成したp-ch ダブルゲート Cu-MIC poly-Ge 薄膜トランジスタ

〇(M2)鈴木 翔¹、原 明人¹ (1.東北学院大工)

キーワード：

半導体,ゲルマニウム,薄膜トランジスタ