講演情報
[20p-B201-7]MONOS型低温ポリシリコンTFTにおけるしきい値電圧制御
〇後藤 哲也1,2、諏訪 智之1,2、片山 慶太3、西田 脩3、池上 浩4、須川 成利1 (1.東北大未来研、2.国際科学振興財団、3.九大シス情、4.高知工科大)
キーワード：
低温ポリシリコン,薄膜トランジスタ,電荷蓄積層
低温ポリシリコン（LTPS） TFTの課題であるしきい値電圧（VT）ばらつきを低減させるため、不揮発性メモリで用いられるような電荷蓄積層を有する金属/酸化膜/窒化膜/酸化膜/シリコン（MONOS）構造をゲート絶縁膜に導入したMONOS型LTPS TFTを作製した。正及び負のゲートバイアスを印加して電荷注入を行うことで、電荷注入時間に応じてVTを正負どちらにもシフトさせ調整できることを確認できた。