講演情報
[20p-C402-10]C2H2/N2混合気体に対するマイクロ波プラズマCVDで
生成した高窒素含有a-CNx:H薄膜の形成
ー [N]/([N]+[C])>0.5を達成する化学結合状態は何か？
〇伊藤 治彦1、佐藤 悠雅1、鈴木 常生1、斎藤 秀俊1 (1.長岡技科大工)
キーワード：
アモルファス窒化炭素
窒素とアセチレンの混合気体に対するマイクロ波プラズマCVDを用いて、水素化されたアモルファス窒化炭素を合成した。特に、アセチレンの分圧を窒素の分圧に対して低く抑制することで、高い窒素含有率を達成した。生成した薄膜に対してアルゴンイオンクラスタービームを照射してエッチングを行った結果、エッチングされた膜の[N]/([N]+[C])比は最大で0.56となった。本研究ではXPSスペクトルのピーク分離解析を行って、そのような高質素含有率の薄膜の結合状態を調査した。その結果、sp3混成軌道のC原子にN原子が2-4個結合した構造が増えることで高窒素含有率が達成されることが判明した。