[20p-C402-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

16:45 〜 17:00

[20p-C402-13] 窒化炭素膜によるリングゲート型電界効果トランジスタの作製

〇橘 昌希¹、樋口 航太¹、浦上 法之^1,2、橋本 佳男^1,2 (1.信州大工、2.信州大　先鋭材料研)

キーワード：

グラファイト状窒化炭素,円形FET,リングゲート型FET