[20p-P06-1~12] 13.9 化合物太陽電池

[20p-P06-11] レーザを用いたCZTS化合物薄膜太陽電池の熱処理プロセス開発

〇島宗 洋介¹、南雲 伶椰¹、神保 和夫¹ (1.長岡高専)

キーワード：

Cu2ZnSnS4,半導体,化合物薄膜太陽電池

CZTS化合物半導体薄膜は、一般に前駆体形成後に高温(>500℃)長時間(~1hour)の硫化処理を行うことで形成される。本研究では、硫化処理に代えてレーザを用いて前駆体の結晶化を試みた。Arあるいは5%H₂S/Arのガス雰囲気中に置かれたCu-Zn-Sn-S系前駆体薄膜に波長445nmのレーザーを照射することで、光学的バンドギャップ1.43-1.44eVを有する結晶を形成することに成功した。