講演情報
[20p-P06-3]光照射によるp型硫化スズ薄膜の導電率変化に対するNaFドープの効果
〇中村 優月1、伊藤 世那1、大前 洸斗1 (1.釧路高専)
キーワード：
半導体,硫化スズ,光吸収
硫化スズ(SnS)はⅡ-Ⅵ族のp型半導体で自然に豊富に存在する毒性を持たない元素で構成され、104 cm-1以上の光吸収係数と1.3eVのバンドギャップを持ち、太陽電池用の光吸収素材へ応用が期待されている．本発表ではNaFをドープしたSnS薄膜を作製し，NaF含有率と光照射による抵抗率の変化について調べたので報告する．NaFをドープすることで導電率の変化量が大きくなりその後飽和することが分かった．