[21a-A202-1~11] 17.3 層状物質

9:00 〜 9:15

[21a-A202-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 表面偏析による積層構造制御を利用したWSe₂ FETのp型動作

〇中島 隆一¹、西村 知紀¹、金橋 魁利¹、上野 啓司²、宮田 耕充³、長汐 晃輔¹ (1.東大、2.埼玉大、3.都立大)

キーワード：

遷移金属ダイカルコゲナイド,フェルミレベルピニング,表面偏析

Biの小さい表面エネルギーに着目し、Bi/Pt二層系電極の表面偏析を適用してWSe₂のp型動作を試みた。アニールによりWSe₂ FETの特性がn型からp型へと変化した。