2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)17 ナノカーボン・二次元材料：17.3 層状物質

[21a-A202-1~11]17.3 層状物質

2023年9月21日(木) 9:00 〜 12:00
A202 (熊本城ホール)
青木 伸之(千葉大)
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9:00 〜 9:15

[21a-A202-1][講演奨励賞受賞記念講演] 表面偏析による積層構造制御を利用したWSe2 FETのp型動作

〇中島 隆一1、西村 知紀1、金橋 魁利1、上野 啓司2、宮田 耕充3、長汐 晃輔1 (1.東大、2.埼玉大、3.都立大)
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9:15 〜 9:30

[21a-A202-2]二次元原子層薄膜を用いたアンチ・アンバイポーラトランジスタによるロジックインメモリ素子の開発

〇新ヶ谷 義隆1、岩﨑 拓哉1、早川 竜馬1、中払 周1、相見 順子1、渡邊 賢司1、谷口 尚1、若山 裕1 (1.物材機構)
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9:30 〜 9:45

[21a-A202-3]低環境負荷物質から成る単原子ゲート・トランジスタの創出

〇(M1C)杉野 秀明1、佐々木 文憲1、米窪 和輝1、入沢 寿史2、松木 武雄2、大堀 大介3、遠藤 和彦3、渡邊 一世4、吹留 博一1 (1.東北大通研、2.産総研、3.東北大流体研、4.情報通信研究機構)
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9:45 〜 10:00

[21a-A202-4]PVD-WS2膜へのCl2プラズマ処理によるドーピングの効果とエッチングの影響

〇(M1)黒原 啓太1、今井 慎也1、冨谷 茂隆1、辰巳 哲也1、若林 整1 (1.東工大工)
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10:00 〜 10:15

[21a-A202-5]Ni/Al2O3/スパッタWS2コンタクトの電流電圧特性

〇(B)寺岡 楓1、今井 慎也1、黒原 啓太1、伊東 壮真1、川那子 高暢1、宗田 伊理也1、角嶋 邦之1、若林 整1 (1.東工大)
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10:15 〜 10:30

[21a-A202-6]銀電極を用いた1T-VSe2抵抗変化メモリにおける低電圧・安定動作

〇(M1)中村 優太1、稲田 貢1、上野 啓司2、山本 真人1 (1.関西大院理工、2.埼玉大院理工)
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10:45 〜 11:00

[21a-A202-7]メチル化ゲルマナン薄膜トランジスタの光電流特性評価

〇平岡 佑貴1、蜂谷 航平1、久保 理1,2、田畑 博史1、片山 光浩1 (1.阪大院、2.岐阜大)
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11:00 〜 11:15

[21a-A202-8]トップゲートに自己整合したWOx S/Dを用いた30-50 nm膜厚WSe2バックチャネルpFET

〇梶川 亮介1、川那子 高暢2、宗田 伊理也1、星井 拓也1、角嶋 邦之1、筒井 一生1、若林 整1 (1.東工大工、2.未来研)
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11:15 〜 11:30

[21a-A202-9]μLED/MoS2 一体型ガスセンサを用いた低消費電力NO2 センシング

〇田畑 博史1、市川 修平1、藤井 耕太郎1、西村 周1、石原 聡啓1、藤原 康文1、片山 光浩1 (1.阪大院工)
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11:30 〜 11:45

[21a-A202-10]Coポルフィリン修飾MoS2センサのNH3に対する光活性化応答特性

〇西村 周1、藤井 耕太郎1、田畑 博史1、久保 理1,2、毎田 修1、片山 光浩1 (1.阪大院、2.岐阜大)
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11:45 〜 12:00英語発表

[21a-A202-11]Enhancing NO2 Sensitivity through Ni Doping at the Vertical Edge of MoS2: A DFT Investigation

〇(DC)ADITYA KUSHWAHA1, NEERAJ GOEL1 (1.Netaji Subhas University of Technology, Dwarka, Sector - 3, Delhi, 110078, India)
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