講演情報
[21a-A202-2]二次元原子層薄膜を用いたアンチ・アンバイポーラトランジスタによるロジックインメモリ素子の開発
〇新ヶ谷 義隆1、岩﨑 拓哉1、早川 竜馬1、中払 周1、相見 順子1、渡邊 賢司1、谷口 尚1、若山 裕1 (1.物材機構)
キーワード：
二次元材料,アンチアンバイポーラトランジスタ,ロジックインメモリ
二次元原子層薄膜を組み合わせて室温で負性抵抗に類似した特性を示すアンチ・アンバイポーラトランジスタを作製し、さらに有機メモリ層を導入して、ロジックインメモリ動作を実現した。デュアルゲート型のアンチ・アンバイポーラトランジスタを用いて、単一素子で六種類の論理演算回路を実現できることをこれまでに報告している。今回は有機メモリ層に電荷を書込消去することによって論理演算の切替操作を実現した。