[21a-A202-1~11] 17.3 層状物質

9:30 〜 9:45

[21a-A202-3] 低環境負荷物質から成る単原子ゲート・トランジスタの創出

〇(M1C)杉野 秀明¹、佐々木 文憲¹、米窪 和輝¹、入沢 寿史²、松木 武雄²、大堀 大介³、遠藤 和彦³、渡邊 一世⁴、吹留 博一¹ (1.東北大通研、2.産総研、3.東北大流体研、4.情報通信研究機構)

キーワード：

単原子長ゲート,低環境負荷,THz帯トランジスタ

高導電な単原子層に対し絶縁膜を介して二次元原子薄膜を直交して成長させることにより，ゲート長が原子一個の極限まで短縮され，従来より二桁高出力でTHz帯動作するトランジスタの創出が可能であることが理論的に予測されている。本発表では，二次元原子薄膜と直交するようなグラフェンの配置を可能にする，単原子長ゲートの研究を報告する。本研究は，低環境負荷物質から成る高出力THz帯動作トランジスタの実現を可能にする。