講演情報
[21a-A202-4]PVD-WS2膜へのCl2プラズマ処理によるドーピングの効果とエッチングの影響
〇(M1)黒原 啓太1、今井 慎也1、冨谷 茂隆1、辰巳 哲也1、若林 整1 (1.東工大工)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド,プラズマ処理,スパッタリング
TMDCの一種であるWS2膜は熱電デバイスの応用が期待されているが、キャリア密度の制御が課題となっている。本研究ではWS2膜にCl2プラズマ処理を行い、キャリア密度の増加を試みた。シート抵抗値がプラズマ処理によって低減したが、膜厚も減少していることも確認した。算出した導電率はプラズマ処理によって向上した。この処理はドーピングとエッチングが同時に起きているが、キャリア密度が増加したものと考えられる。