[21a-A202-1~11] 17.3 層状物質

10:15 〜 10:30

[21a-A202-6] 銀電極を用いた1T-VSe₂抵抗変化メモリにおける低電圧・安定動作

〇(M1)中村 優太¹、稲田 貢¹、上野 啓司²、山本 真人¹ (1.関西大院理工、2.埼玉大院理工)

キーワード：

抵抗変化メモリ,二セレン化バナジウム,銀

本研究では、導電性の層状物質である1T-VSe₂を抵抗変化層、下部電極をグラファイト、上部電極を銀としたReRAMにおいて動作電圧0.1±0.01 Vの低電圧・安定動作を実現した。