[21a-A202-1~11] 17.3 層状物質

11:00 〜 11:15

[21a-A202-8] トップゲートに自己整合したWO_x S/Dを用いた30-50 nm膜厚WSe₂バックチャネルpFET

〇梶川 亮介¹、川那子 高暢²、宗田 伊理也¹、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、筒井 一生¹、若林 整¹ (1.東工大工、2.未来研)

キーワード：

二セレン化タングステン,自己整合プロセス