講演情報
[21a-A302-8]カーボンハードマスクのプラズマエッチング耐性に対する，成膜過程におけるイオン照射効果
〇安藤 悠介1、近藤 博基2、堤 隆嘉2、石川 健治2、関根 誠2、堀 勝2 (1.名大工、2.名大低温プラズマ)
キーワード：
プラズマプロセス,半導体,アモルファスカーボン
アモルファスカーボン薄膜のプラズマエッチ耐性の向上を目的に，活性種計測と機械学習の組合せによって成膜機構を解明している．今回，学習モデルにおける成膜パラメータの寄与度解析から，基板バイアスが誘起するイオン照射が，水素流量比が小さい局所領域でのみエッチ耐性に顕著な効果を及ぼすことを見出した．更に質量分析計を用いたイオンとラジカルの計測に基づき，膜機能の発現に対する活性種間相互作用を定量的に考察する．