講演情報
[21a-A302-9]任意波形放電を用いた水素化アモルファスカーボン膜の膜質制御
〇大高 真寛1、大友 洋1,2、池田 築1、頼 建勲1、脇田 大地1、鎌滝 晋礼1、山下 直人1、板垣 奈穂1、古閑 一憲1、白谷 正治1、進藤 崇央2、田中 諭志2、松土 龍夫2 (1.九州大学、2.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ)
キーワード：
任意波形放電,水素化アモルファスカーボン膜,プラズマ励起化学気相成膜
PECVDにおける薄膜形成においてイオンエネルギーとイオンフラクスの独立制御が重要である．このために，高周波の基本波に二倍高調波などを重畳した任意波形(Tailored Voltage Waveforms: TVWs)放電が提唱されている．しかし，任意波形放電を成膜に適用した報告は極めて少ない．ここでは，任意波形放電が水素化アモルファスカーボン(a-C:H)の成膜に与える影響を調べた結果を報告する．