講演情報
[21a-A304-10]MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (8) -捕獲電子の再結合過程(I)-
〇土屋 敏章1、堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)
キーワード：
単一界面両性欠陥,チャージポンピング,電子捕獲放出素過程
これまで行ってきた7件の報告に引き続いて本講演では，単一MOS界面欠陥の両性準位に捕獲された伝導帯電子の価電子帯正孔との再結合素過程を直接観測し，AcceptorlikeおよびDonorlike準位の各々について再結合時定数を導出する．