セッション詳細
[21a-A304-3]三次元積層型シリコン量子ドットの特性の個別制御
〇(D)金 駿午1、水谷 朋子1、更屋 拓哉1、岡 博史2、森 貴洋2、小林 正治1,3、平本 俊郎1 (1.東大生研、2.産総研、3.東大 d.lab)
[21a-A304-4]スピン量子ビット集積化に向けたシリコンインタポーザーを介した量子ドット測定
〇二谷 時緒1、溝口 来成1、田口 美里2、三木 拓司2、永田 真2、米田 淳1、小寺 哲夫1 (1.東京工業大学、2.神戸大学)
[21a-A304-9]バルクMOSFETにおけるRTN起源の温度変化
〇稲葉 工1、岡 博史1、浅井 栄大1、更田 裕司1、飯塚 将太1、加藤 公彦1、下方 駿佑1、福田 浩一1、森 貴洋1 (1.産総研)
[21a-A304-10]MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (8) -捕獲電子の再結合過程(I)-
〇土屋 敏章1、堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)
[21a-A304-11]MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (9) -捕獲電子の再結合過程(Ⅱ)-
〇土屋 敏章1、堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)