セッション詳細

[21a-A304-1~11]13.5 デバイス/配線/集積化技術

2023年9月21日(木) 9:00 〜 12:00
A304 (熊本城ホール)
堀 匡寛(静大)

[21a-A304-1]シリコン単正孔ポンプを用いた高精度単電荷転送

〇山端 元音1、藤原 聡1 (1.NTT物性研)

[21a-A304-2]単電子輸送のエラーレート評価におけるベイズ推定の活用

〇坂本 剛1、高橋 一斗1、近藤 知宏1、溝口 来成1、小寺 哲夫1、米田 淳1 (1.東工大)

[21a-A304-3]三次元積層型シリコン量子ドットの特性の個別制御

〇(D)金 駿午1、水谷 朋子1、更屋 拓哉1、岡 博史2、森 貴洋2、小林 正治1,3、平本 俊郎1 (1.東大生研、2.産総研、3.東大 d.lab)

[21a-A304-4]スピン量子ビット集積化に向けたシリコンインタポーザーを介した量子ドット測定

〇二谷 時緒1、溝口 来成1、田口 美里2、三木 拓司2、永田 真2、米田 淳1、小寺 哲夫1 (1.東京工業大学、2.神戸大学)

[21a-A304-5]RF反射測定における寄生成分の評価とインピーダンス整合への影響

〇(M2)松田 凌1、神岡 純1、溝口 来成1、米田 淳1、小寺 哲夫1 (1.東工大工)

[21a-A304-6]歪を取り入れた拡張ゾーン有効質量近似による巨大バレー分離の考察

〇登坂 仁一郎1、林 稔晶1、藤原 聡1、西口 克彦1 (1.NTT物性研)

[21a-A304-7]第一原理計算を用いたSi量子井戸における谷分離の研究

〇林 稔晶1、影島 博之2、登坂 仁一郎1、藤原 聡1、西口 克彦1 (1.NTT基礎研、2.島根大)

[21a-A304-8]極低温におけるpn接合ダイオードの特性

〇(M1)吉永 啓人1、宮尾 知寿1、田中 貴久2、内田 建1 (1.東大工、2.慶大理工)

[21a-A304-9]バルクMOSFETにおけるRTN起源の温度変化

〇稲葉 工1、岡 博史1、浅井 栄大1、更田 裕司1、飯塚 将太1、加藤 公彦1、下方 駿佑1、福田 浩一1、森 貴洋1 (1.産総研)