セッション詳細
[21a-A304-1~11]13.5 デバイス/配線/集積化技術
2023年9月21日(木) 9:00 〜 12:00
A304 (熊本城ホール)
堀 匡寛(静大)
[21a-A304-1]シリコン単正孔ポンプを用いた高精度単電荷転送
〇山端 元音1、藤原 聡1 (1.NTT物性研)
[21a-A304-2]単電子輸送のエラーレート評価におけるベイズ推定の活用
〇坂本 剛1、高橋 一斗1、近藤 知宏1、溝口 来成1、小寺 哲夫1、米田 淳1 (1.東工大)
[21a-A304-3]三次元積層型シリコン量子ドットの特性の個別制御
〇(D)金 駿午1、水谷 朋子1、更屋 拓哉1、岡 博史2、森 貴洋2、小林 正治1,3、平本 俊郎1 (1.東大生研、2.産総研、3.東大 d.lab)
[21a-A304-4]スピン量子ビット集積化に向けたシリコンインタポーザーを介した量子ドット測定
〇二谷 時緒1、溝口 来成1、田口 美里2、三木 拓司2、永田 真2、米田 淳1、小寺 哲夫1 (1.東京工業大学、2.神戸大学)
[21a-A304-5]RF反射測定における寄生成分の評価とインピーダンス整合への影響
〇(M2)松田 凌1、神岡 純1、溝口 来成1、米田 淳1、小寺 哲夫1 (1.東工大工)
[21a-A304-6]歪を取り入れた拡張ゾーン有効質量近似による巨大バレー分離の考察
〇登坂 仁一郎1、林 稔晶1、藤原 聡1、西口 克彦1 (1.NTT物性研)
[21a-A304-7]第一原理計算を用いたSi量子井戸における谷分離の研究
〇林 稔晶1、影島 博之2、登坂 仁一郎1、藤原 聡1、西口 克彦1 (1.NTT基礎研、2.島根大)
[21a-A304-8]極低温におけるpn接合ダイオードの特性
〇(M1)吉永 啓人1、宮尾 知寿1、田中 貴久2、内田 建1 (1.東大工、2.慶大理工)
[21a-A304-9]バルクMOSFETにおけるRTN起源の温度変化
〇稲葉 工1、岡 博史1、浅井 栄大1、更田 裕司1、飯塚 将太1、加藤 公彦1、下方 駿佑1、福田 浩一1、森 貴洋1 (1.産総研)
[21a-A304-10]MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (8) -捕獲電子の再結合過程(I)-
〇土屋 敏章1、堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)
[21a-A304-11]MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (9) -捕獲電子の再結合過程(Ⅱ)-
〇土屋 敏章1、堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)