講演情報
[21a-A304-6]歪を取り入れた拡張ゾーン有効質量近似による巨大バレー分離の考察
〇登坂 仁一郎1、林 稔晶1、藤原 聡1、西口 克彦1 (1.NTT物性研)
キーワード：
バレー分離,歪,シリコン
高温長時間アニールを行ったSIMOX基板上に作製したMOSFETでは巨大なバレー分離が発現することが知られているが、その起源は長い間不明であった。拡張ゾーン有効質量近似では歪がバレー分離に大きな影響を与えることを予測しており今回我々はこの理論に基づいてバレー分離の解析を進めた。その結果BOX界面付近の5％程度の[110]方向のせん断歪が巨大バレー分離の起源として有望であることが明らかとなった。