講演情報
[21a-A304-9]バルクMOSFETにおけるRTN起源の温度変化
〇稲葉 工1、岡 博史1、浅井 栄大1、更田 裕司1、飯塚 将太1、加藤 公彦1、下方 駿佑1、福田 浩一1、森 貴洋1 (1.産総研)
キーワード：
量子コンピュータ,Cryo-CMOS,ランダムテレグラフノイズ
量子ビット制御回路の実現に向け、極低温動作MOSFETで発生する1/fノイズの起源解明とその低減が求められている。これまでに、我々は極低温下におけるノイズ起源はシリコン-酸化膜界面に存在することを明らかにした。本講演では、ノイズの起源となっている欠陥種別を明らかにするため、短チャネルMOSFETにおけるランダムテレグラフノイズ（RTN）の温度依存性を測定し、RTNトラップのエネルギー準位が温度によって変化することを示した研究結果を発表する。