[21a-A306-1~9] 17.2 グラフェン

9:00 〜 9:15

[21a-A306-1] グラフェン/WC/SiCヘテロ構造の作製とその評価

〇(M2)大塚 康平¹、伊藤 孝寛²、遠藤 彰³、乗松 航⁴ (1.名大院工、2.名大SRセ、3.東大物性研、4.早大)

キーワード：

グラフェン,炭化タングステン,透過型電子顕微鏡

SiCをはじめとする炭化物の熱分解により、グラフェンの成長が可能である。本研究では、トポロジカル半金属の一種である炭化タングステン(WC)に注目した。パルスレーザー堆積(PLD)法を用いて4H-SiC基板上に高結晶性WC薄膜を形成し、その熱分解によるグラフェン作製を行った。また、得られたグラフェン/WC/SiC試料の結晶構造、電子状態および電気伝導特性について評価を行った。