セッション詳細

[21a-A306-1~9]17.2 グラフェン

2023年9月21日(木) 9:00 〜 11:30
A306 (熊本城ホール)
永瀬 雅夫(徳島大)

[21a-A306-1]グラフェン/WC/SiCヘテロ構造の作製とその評価

〇(M2)大塚 康平1、伊藤 孝寛2、遠藤 彰3、乗松 航4 (1.名大院工、2.名大SRセ、3.東大物性研、4.早大)

[21a-A306-2]転写グラフェン/SiCの界面構造

〇(M1)光平 知民1、今村 均1、アントン ビシコフスキー1、田中 悟1 (1.九大院工)

[21a-A306-3]4H-SiC-m面上の周期リップルグラフェン

〇(D)今村 均1、ビシコフスキー アントン1、碇 智徳2、藤澤 唯太3、小畑 由紀子3、岡田 佳憲3、田中 悟1 (1.九大院工、2.宇部高専、3.沖縄科技大)

[21a-A306-4]SiC上CVDグラフェンバッファー層の水素インターカレーション

〇(M1)田中 夏帆1、今村 均1、ビシコフスキー アントン1、田中 悟1 (1.九州院工)

[21a-A306-5]グラフェン/SiC (0001)におけるFeインターカレーションとその界面構造

〇(D)榊原 涼太郎1、寺澤 知潮2,3、乗松 航4 (1.名大院工、2.原子力機構、3.東大生研、4.早大理工)

[21a-A306-6]h-BN上へのグラフェンのヘテロエピタキシャル成長の制御

小濱 路生1、米窪 和輝1、杉野 秀明1、諏訪 健斗1、菅原 健太1、唐 超1、大河内 拓雄2、渡邊 一世3、尾辻 泰一1、〇吹留 博一1 (1.東北大通研、2.高輝度光科学研究センター、3.情報通信研究機構)

[21a-A306-7]m面サファイア基板上グラフェンCVD成長における面内配向性

〇柳瀬 優太1、長村 皓平1、丸山 隆浩1、成塚 重弥1 (1.名城大理工)

[21a-A306-8]光電子制御プラズマによるグラフェン改質 (I) ~ ラマン分光解析 ~

〇福田 旺土1、鷹林 将1、内藤 陽大1、田中 修斗1、山口 尚登2、小川 修一3、高桑 雄二4、津田 泰孝5、吉越 章隆5 (1.有明高専、2.ロスアラモス国立研究所、3.日本大学 生産工、4.東北大学 マイクロ研究開発センター、5.日本原子力研究開発機構)

[21a-A306-9]光電子制御プラズマによるグラフェン改質 (II) ~ 光電子分光解析 ~

〇鷹林 将1、福田 旺土1、内藤 陽大1、田中 修斗1、山口 尚登2、小川 修一3、高桑 雄二4、津田 泰孝5、吉越 章隆5 (1.有明高専、2.ロスアラモス国立研究所、3.日本大学 生産工、4.東北大学 マイクロ研究開発センター、5.日本原子力研究開発機構)