講演情報
[21a-A306-6]h-BN上へのグラフェンのヘテロエピタキシャル成長の制御
小濱 路生1、米窪 和輝1、杉野 秀明1、諏訪 健斗1、菅原 健太1、唐 超1、大河内 拓雄2、渡邊 一世3、尾辻 泰一1、〇吹留 博一1 (1.東北大通研、2.高輝度光科学研究センター、3.情報通信研究機構)
キーワード：
h-BN,グラフェン,ヘテロエピ成長
SiC表面における熱改質法を活用することで，h-BN上のグラフェンの成長を研究した。厚いh-BN上には，グラフェンが成長しないが，薄いh-BN上ではグラフェンが成長することが明らかとなった。薄いh-BN上に数層グラフェンが形成されていることが確かめられた。顕微電子回折により，h-BN上にグラフェンはエピ成長していることが明らかとなった。以上、我々は，h-BN上へのグラフェンのヘテロエピ成長を制御できることを示した。