[21a-A307-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[21a-A307-1] ミストCVDによるスマートウインドウやサーモクロミック応用に向けたNドープVO₂薄膜の形成及び物性評価

〇(M1)加納 大成¹、新田 悠汰¹、西中 浩之¹、吉本 昌広¹ (1.京工繊大)

キーワード：

スマートウインドウ,金属絶縁体転移,ミストCVD

二酸化バナジウム(VO₂)は金属絶縁体転移が約67^○Cで発生するとMorinによって報告されており、金属絶縁体転移を引き起こすトリガーとして、熱や電気等がある。この転移により光学的特性及び電気特性が大幅に変化するが、転移温度が約67^○Cと室温よりやや高温であるために、製品応用の妨げとなっている。
そこで、ミストCVDを用いてNドープを行いVO₂の転移温度を室温近くの30^○C付近まで大幅に低下させた。