講演情報
[21a-A307-3]電圧ノイズ重畳による抵抗変化型メモリの動作安定化
〇(M1)高谷 健太郎1,2、菅 洋志1、島 久2、内藤 泰久2、秋永 広幸2 (1.千葉工大、2.産総研)
キーワード：
抵抗変化メモリ
ReRAM（抵抗変化型メモリ）はシンプルな構造を有するメモリ素子である．デバイスの小型化，高集積化に有利であるが，スイッチング時の安定な抵抗値制御が課題となっている．近年，ReRAM の動作電圧にノイズを重畳することによる抵抗変化動作の安定化がシミュレーションなどによって報告されている．本研究では，実デバイスの動作電圧にノイズを重畳し，ReSETプロセス後の抵抗値ばらつき抑制効果を検証した．