[21a-A307-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[21a-A307-4] Pt/Nb:SrTiO₃接合の抵抗緩和過程におけるショットキーパラメータの時間依存性とドーピング濃度の関係

〇中村 駿斗¹、鄭 雨萌¹、木下 健太郎¹ (1.東理大先進工)

キーワード：

抵抗緩和,ドーピング濃度,ショットキー

本研究では、界面型抵抗変化メモリPt/Nb-doped SrTiO₃における抵抗緩和現象について研究した。抵抗スイッチング後の緩和過程におけるショットキーパラメータ(SP)の時間依存性を得る簡便な方法を開発した。同測定法を用いて抵抗緩和過程におけるSPの時間依存性とNbドープ濃度の関係を明らかにした。