講演情報
[21a-B101-6]AlN/n-SiCバルク音響共振器のミリ波帯動作
〇黒子 めぐみ1、畑中 大樹1、太田 竜一1、山口 浩司1、谷保 芳孝1、岡本 創1 (1.NTT物性研)
キーワード：
バルク弾性波,圧電トランスデューサ,エピタキシャルAlN
n-SiC上にエピタキシャル成長したAlNをトランスデューサとして使用した高倍音バルク音響共振器を作製した。トランスデューサの高次モードはミリ波帯（30-300 GHz）で動作しており、高品質なAlNエピタキシャル膜により、ミリ波帯の超高周波領域においても弾性波の励振が可能であることが明らかとなった。