[21a-P02-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

[21a-P02-1] ミストCVD法Hf_0.5Zr_0.5O₂強誘電体薄膜の電気的特性の改善

〇田中 将¹、西中 浩之¹、吉本 昌弘¹、野田 実¹ (1.京工繊大)

キーワード：

強誘電体

2011年にハフニア系薄膜の強誘電性が報告され、ペロブスカイト型でない強誘電体材料が注目されている。我々はミストCVD法によるハフニア系強誘電体薄膜の製膜を行ってきた。この方法では低コストで高スループットな製造が可能であるが、リーク電流が懸念となっていた。本研究では各界面での窒素プラズマ処理を検討した。その結果、リーク電流は約２桁低下し、ヒステリシスループも改善され、従来報告と比べても良好な結果が得られた。